书目详细信息
： 晶圆级应变SOI技术
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-5606-7406-3:CNY37.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 610000 |
| 题名责任者项： | 晶圆级应变SOI技术/.戴显英，苗东铭，荊熠博著 |
| 出版发行项： | 西安:,西安电子科技大学出版社:,2024 |
| 载体形态项： | 150页:;+图:;+26cm |
| 一般附注： | 国家自然科学基金项目资助 |
| 相关题名附注： | 封面英文题名：Wafer level strain SOI technology |
| 提要文摘： | 本书共分7章，主要介绍SOI晶圆制备技术、SOI晶圆材料力学特性与结构特性、机械致晶圆级单轴应变SOI技术、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI技术及其相关效应、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI晶圆制备、晶圆级应变SOI应变模型、晶圆级应变SOI应力分布的有限元计算。 |
| 并列题名： | Wafer level strain SOI technology eng |
| 题名主题： | 集成电路工艺 |
| 中图分类： | TN405 |
| 个人名称等同： | 戴显英 著 |
| 个人名称等同： | 苗东铭 著 |
| 个人名称等同： | 荊熠博 著 |
| 记录来源： | CN BWZ 20250628 |