书目详细信息
： 半导体器件建模与测试实验教程:基于华大九天器件建模与验证平台XModel
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-121-49371-3:CNY58.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 半导体器件建模与测试实验教程/.杜江锋，石艳玲，朱能勇编著 |
| 出版发行项： | 北京:,电子工业出版社:,2025 |
| 载体形态项： | 213页:;+图:;+26cm |
| 丛编项： | 集成电路系列丛书.电子设计自动化 |
| 一般附注： | 国产EDA系列教材 |
| 提要文摘： | 本教程在简要介绍MOSFET场效应晶体管器件结构和工作原理的基础上，全面叙述了MOSFET基本电学特性和二阶效应；介绍了MOSFET器件模型及建模测试结构和方案设计；给出了MOSFETBSIM模型参数提取流程；介绍了半导体器件SPICE模型建模平台EmpyreanXModel，深入介绍了XModel的基本功能和界面；介绍了MOSFET器件电学特性测试平台、测试模式和测试流程；分别介绍了MOSFET器件电学特性如C-V、转移特性和输出特性的测量方法；深入介绍了MOSFET模型参数提取的实验步骤和使用流程；介绍了MOSFET射频模型参数提取方法和使用流程；并介绍了GaN器件模型参数提取方法和使用流程。 |
| 分集： | 电子设计自动化 |
| 题名主题： | 半导体器件 系统建模 高等学校 教材 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 杜江锋 编著 |
| 个人名称等同： | 石艳玲 编著 |
| 个人名称等同： | 朱能勇 编著 |
| 记录来源： | CN SDL 20250506 |