书目详细信息
： 计算光刻与版图优化
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-121-40226-5:CNY79.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 计算光刻与版图优化/.韦亚一[等]著 |
| 出版发行项： | 北京:,电子工业出版社:,2021.01 |
| 载体形态项： | 10,238页:;+图:;+26cm |
| 丛编项： | 集成电路技术丛书 |
| 丛编项： | 中国科学院大学研究生教学辅导书系列 |
| 相关题名附注： | 封面英文题名：Computational lithography & layout optimization |
| 提要文摘： | 本书共7章，首先对集成电路设计与制造的流程做简要介绍，接着介绍集成电路物理设计(版图设计)的全流程，然后介绍光刻模型、分辨率增强技术、刻蚀效应修正、可制造性设计，最后介绍设计与工艺协同优化。 |
| 并列题名： | Computational lithography & layout optimization eng |
| 题名主题： | 集成电路工艺 电子束光刻 研究生 教材 |
| 中图分类： | TN405.98 |
| 个人名称等同： | 韦亚一 著 |
| 记录来源： | CN 广东新华 20210207 |