书目详细信息
： InAs/AlSb异质结型射频场效应晶体管技术
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-5612-8125-3:CNY58.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 610000 |
| 题名责任者项： | InAs/AlSb异质结型射频场效应晶体管技术/.关赫著 |
| 出版发行项： | 西安:,西北工业大学出版社:,2022.08 |
| 载体形态项： | 192页:;+图:;+24cm |
| 一般附注： | 学术研究专著 |
| 提要文摘： | 本书针对InAs/AlSb HEMTs器件开展了系统研究，在器件特性研究、模型建立、电路设计及制备工艺等方面进行了较为深入的探讨。与传统半导体器件GaAs和GaN HEMTs相比，InAs/AlSb HEMTs作为典型的锑基化合物半导体(ABCS)器件具备更高的电子迁移率和电子饱和漂移速度，在高速、低功耗、低噪声等应用方面拥有良好的发展前景。特别在深空探测方面，InAs/A1Sb HEMTs作为深空探测的低噪声放大器(LNA)的候选核心器件具有无可比拟的优势。 |
| 题名主题： | 结型场效应晶体管 |
| 中图分类： | TN386.6 |
| 个人名称等同： | 关赫 著 |
| 记录来源： | CN 广东新华 20221103 |