书目详细信息
： 不同形貌GaN纳米线制备技术
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-5024-9595-4:CNY72.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 不同形貌GaN纳米线制备技术/.崔真，李恩玲，王含笑著 |
| 出版发行项： | 北京:,冶金工业出版社:,2023 |
| 载体形态项： | 161页:;+图:;+24cm |
| 相关题名附注： | 封面英文题名：Preparation technology of GaN nanowires with different morphologies |
| 提要文摘： | 本书以西安理工大学光电材料制备与器件设计团队近20年所开展的GaN基材料制备与场发射特性研究为依托，通过化学气相沉积法可控制备出塔形、铅笔形、针尖状、绳形、竹叶形、螺旋形及三维分支结构的GaN纳米线，阐明了这些不同形貌GaN纳米线的合成机理，发现它们因具有特殊的结构和大的场增强因子而具有优异的光电和场发射特性。 |
| 并列题名： | Preparation technology of GaN nanowires with different morphologies eng |
| 题名主题： | 纳米材料 研究 |
| 中图分类： | TB383 |
| 个人名称等同： | 崔真 著 |
| 个人名称等同： | 李恩玲 著 |
| 个人名称等同： | 王含笑 著 |
| 记录来源： | CN RENTIAN 20231013 |